Отправка в регионы от 900 руб Транзисторы времён СССР Фото реальные. Были приготовлены для производство НО что-то не срослось Цена: 60 руб\шт Производство :TOSHIBA. HITACHI.STE.Болгария Применялись в магнитофонах 70 годов и не только
2SB75 =58 шт. Тип Биполярный транзистор Материал Ge Структура pnp Pc,max 150mW Ucb,max 25V Uce,max 25V Ueb,max 12V Ic,max 100mA Tj,max 85єC Ft,max 800KHz Hfe 55T Производитель HITACHI Применение Low Power, General Purpose
GS111C=4шт Тип Биполярный транзистор Материал Ge Структура pnp Pc,max 83mW Ucb,max 20V Ic,max 210mA Tj,max 90єC Hfe 60MIN Производитель STE Применение Low Power, Switching, General Purpose
2SA17=3шт Тип Биполярный транзистор Материал Ge Структура pnp Pc,max 80mW Ucb,max 12V Uce,max 10V Ueb,max 12V Ic,max 150mA Tj,max 75єC Ft,max 8MHz Cctip,pF 15 Hfe 250T Производитель HITACHI Применение Medium Power, General Purpose
GS121D = 24шт Тип Биполярный транзистор Материал Ge Структура pnp Pc,max 150mW Ucb,max 20V Ic,max 100mA Tj,max 90єC Hfe 90MIN Производитель STE Применение Low Power, Switching, General Purpose
GS121C= 13шт Тип Биполярный транзистор Материал Ge Структура pnp Pc,max 150mW Ucb,max 20V Ic,max 100mA Tj,max 90єC Hfe 60MIN Производитель STE Применение Low Power, Switching, General Purpose
GS109D=2шт Тип Биполярный транзистор Материал Ge Структура pnp Pc,max 83mW Ucb,max 20V Ic,max 50mA Tj,max 90єC Hfe 90MIN Производитель STE Применение Low Power, Switching, General Purpose
2SA53=10шт Тип Биполярный транзистор Материал Ge Структура pnp Pc,max 60mW Ucb,max 18V Ueb,max 12V Ic,max 5mA Tj,max 75єC Ft,max 2MHz Cctip,pF 13 Hfe 20/130 Производитель TOSHIBA Применение RF, Low Power, General Purpose
